000 00857cam a2200265 i 4500
001 pc12045767k
008 121019s2012 00 pol
020 _a8373484160
935 _a0045-76760
040 _aCZEST 2/OOZ/LSz
041 0 _apol
080 _a621.382.3-048.63
100 1 _aTurzyński, Marek.
245 1 0 _aBehawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych /
_cMarek Turzyński.
260 _aGdańsk :
_bWydaw. Politechniki Gdańskiej,
_c2012.
300 _a125 s. :
_bil. ;
_c24 cm.
490 1 _aMonografie / Politechnika Gdańska
_vNr 121
504 _abibliogr.
830 0 _aMonografie (Politechnika Gdańska)
_vNr 121
920 _a83-7348-416-0
998 _aTRANZYSTORY BIPOLARNE
998 _aSYMULACJA KOMPUTEROWA
998 _aENERGOELEKTRONIKA
942 _2z
_cZ
999 _c45184
_d45184